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SQD25N06-22L-GE3 |
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | Vishay Siliconix | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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SQD25N06-22L-GE3参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH D-S 60V 25A TO252 包装数量:2000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):60V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):25A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1975pF @ 25V 功率 - 最大值:62W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 加速计MMA2201D 线性 - 放大器 MHW9186N Card EdgeRMC15DRXI 气体放电管 (GDB88069X270S102 RF 晶体管 (BNE68819-A 配件P2381 同轴,RF2032445-1 配件4010P 保险丝5TTP5 螺钉和螺母驱动器36476 |